发热解决了,三星第二代 3nm 工艺能效提升 34%,性能提升 22%
5 月 10 日消息,三星电子披露了第二代 3 纳米工艺的技术水平,与目前的 4 纳米(SF4)工艺相比,新的 3 纳米工艺将芯片性能提高了 20% 以上。
报道称,在 2023 年国际超大规模集成电路研讨会上,三星提供的介绍资料显示,第二代 3 纳米工艺的芯片比目前 4 纳米工艺的芯片速度快 22%,功率效率高 34%。此外,与前一代相比,芯片尺寸将减少 21%。
据了解,三星第一代 3 奈米工艺去年 6 月首次投产,第二代 3 纳米工艺将于明年投产,三星曾声称,与 5 纳米工艺的芯片相比,第一代 3 纳米芯片性能提高了 23%,芯片尺寸缩小了 16%。
台积电最近也公布了类似数据,其第二代 3 纳米工艺与 5 纳米(N5)工艺芯片相比,芯片性能提高了 18%,芯片功耗降低了 32%。台积电的 N5 工艺一般被认为在技术上与三星的 SF4 工艺相似或接近。
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