三星 3nm 芯片工艺良率已达 60% 超过台积电
据 Hi Investment & Securities 机构近日发布的报告,Samsung Foundry 在 3nm 工艺上的良率达到了 60%,高于台积电(55%)。
报道指出,三星一直致力于发展 3nm 工艺,并不断提升生产工艺和良率。目前,三星的良率已经达到了 60%,该媒体认为在超先进芯片制造技术方面,三星有望超过台积电。
报告中也指出三星目前在 4nm 工艺方面良率为 75%,和台积电(80%)存在差距,不过通过发力 3nm,三星有望在未来超过台积电。
报告中还指出由于台积电的大部分订单都被苹果预订,英伟达、高通等公司都对三星的第二代 3nm(SF3)工艺感兴趣。
据此前报道,Samsung Foundry 在 SFF 2023 上公布了最新工艺技术路线图,计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺,2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。同时,三星还公布了 SF2 工艺的一些特性。
三星与台积电的竞争日益激烈,目前三星 3nm 芯片工艺良率超过台积电,但 4nm 方面还存在差距,你认为未来三星总体上超越台积电的可能性有多少呢?
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